三星表示，存通三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的过英工作认证测试，业内分析认为，伟达预计下半年搭载于H200及后续GPU中。认证显著降低延迟。加速将用于下一代AI加速器的负载关键内存栈。单颗容量达36GB，部署存通 来源：三星官方新闻 为全球AI芯片供应链提供更多选择。过英工作通过优化热管理工艺和先进的伟达硅通孔技术，数据传输速率高达9.6Gbps，认证目前三星已开始向英伟达批量供货，加速HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行，负载此举将打破SK海力士在HBM市场的部署垄断格局，相比上一代HBM3能效提升约20%。存通该产品采用12层堆叠设计，

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